Симбиоз биполярного и полевого транзистора для силовой электроники
IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) объединяет преимущества двух технологий: высокое входное сопротивление полевого транзистора для простого управления и низкие потери проводимости биполярного транзистора при высоких токах. Конструктивно это полевой транзистор на входе, управляющий током биполярного транзистора на выходе. Результат — способность коммутировать сотни ампер при напряжениях 600–6500 В с управлением от маломощных драйверов.
Основные области применения: частотные преобразователи электродвигателей, инверторы солнечных электростанций и ветрогенераторов, источники бесперебойного питания, сварочные аппараты, индукционные нагреватели, тяговые преобразователи электротранспорта. Ключевые параметры: напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток, напряжение насыщения Vce(sat), время переключения, тепловой режим. Современные IGBT-модули включают защитные цепи, датчики температуры и тока, интегрированные драйверы.