Управление током электрическим полем без тока управления
Полевые транзисторы управляют проводимостью канала электрическим полем затвора, практически не потребляя ток управления. MOSFET — металлический затвор, изолированный оксидом от канала, обеспечивает входное сопротивление в сотни мегаом. JFET — управляющий p-n переход в обратном смещении, минимальные шумы для прецизионных усилителей. Отсутствие тока управления упрощает схемотехнику, снижает потери в цепях управления и позволяет коммутировать большие токи от маломощных источников.
Ключевые преимущества MOSFET перед биполярными транзисторами: высокое быстродействие (единицы наносекунд), малое сопротивление открытого канала Rds(on) (от единиц миллиом), отсутствие вторичного пробоя, простая параллельная работа без выравнивающих резисторов. Области применения: импульсные источники питания, мотор-драйверы, DC-DC преобразователи, инверторы, системы управления светодиодами, автомобильная электроника. Поставляем MOSFET с N и P каналом, напряжениями от 30 до 1500 В, токами от миллиампер до сотен ампер.